在半導(dǎo)體封裝、晶圓級鍵合及先進制程工藝中，封裝材料的均勻性、低應(yīng)力與超高潔凈度是確保芯片可靠性及良率的核心。SIENOX（施諾斯）行星攪拌脫泡機通過無接觸式公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)混合技術(shù)與納米級真空脫泡系統(tǒng)，為環(huán)氧模塑料（EMC）、芯片粘接膠（DAF）及光刻膠等高敏材料的制備提供零污染、高一致性的工藝保障，助力半導(dǎo)體制造突破微米級缺陷管控瓶頸。

SIENOX行星攪拌脫泡機：半導(dǎo)體封裝材料高精度制備解決方案.jpg

挑戰(zhàn)

SIENOX解決方案

價值提升

納米填料團聚導(dǎo)致熱應(yīng)力

公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)離心力場（轉(zhuǎn)速0-2000rpm可調(diào)），實現(xiàn)二氧化硅/金剛石填料均勻分散（CV值＜3%），熱導(dǎo)率波動≤±5%

芯片散熱效率提升40%，封裝翹曲率降低至0.1mm/m

微氣泡引發(fā)分層失效

多級真空梯度脫泡，同步混合與脫泡，氣泡尺寸控制＜5μm，殘留量＜50ppm

界面結(jié)合強度達150MPa，封裝良率＞99.9%

金屬離子污染風(fēng)險

非接觸式設(shè)計，材料僅接觸陶瓷/PTFE容器，通過質(zhì)量管理體系潔凈度認(rèn)證，金屬雜質(zhì)＜0.1ppb

滿足28nm以下先進制程材料純度要求

高精度溫控需求

溫控系統(tǒng)，抑制樹脂預(yù)固化，工藝窗口延長至8小時

固化收縮率＜0.02%，晶圓切割崩邊率下降80%

半導(dǎo)體場景化應(yīng)用案例

倒裝芯片底部填充膠

SIENOX設(shè)備實現(xiàn)納米二氧化硅漿料的無損分散，填料分布均勻性達99.2%，配合真空脫泡使膠體流動性提升30%，填充時間縮短至3秒，應(yīng)用于5G毫米波芯片封裝，空洞率＜0.001%。

晶圓級封裝（WLP）光刻膠

針對厚膜光刻膠（SU-8系列），SIENOX定制低剪切力混合模式，在真空環(huán)境下消除微氣泡，使膠膜厚度均勻性（3μm@100μm）達到±1.5%，應(yīng)用于TSV硅通孔工藝，通孔良率提升至99.5%。

高導(dǎo)熱界面材料（TIM）

通過SIENOX行星混合技術(shù)，氮化硼/銀納米線復(fù)合漿料的導(dǎo)熱系數(shù)突破25W/m·K，且電阻率＜1×10??Ω·cm，用于GPU芯片散熱，結(jié)溫降低18℃，性能穩(wěn)定性提升45%。

SIENOX半導(dǎo)體方案核心優(yōu)勢

亞微米級缺陷控制：智能控制系統(tǒng)實時監(jiān)測材料狀態(tài)，自動糾偏混合參數(shù)；

超潔凈工藝鏈：全封閉惰性氣體保護模塊，氧含量＜10ppm，適配BGA焊錫膏制備

全程可控：支持MES系統(tǒng)對接，實現(xiàn)配方管理-生產(chǎn)-質(zhì)檢數(shù)字化閉環(huán)。